RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
44
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.0
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2069
3908
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Smart Modular SH564568FH8N0QHSCG 2GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link