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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Compara
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
8.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
44
En -76% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
13
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.0
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2069
2290
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
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