RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Compara
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
7.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
44
En -10% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
44
40
Velocidad de lectura, GB/s
13.0
11.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
7.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2069
1730
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link