RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Compara
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
94
En -236% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.5
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
28
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
16.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
3741
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link