RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Comparez
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Note globale
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
94
Autour de -236% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.5
1,165.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
94
28
Vitesse de lecture, GB/s
1,882.0
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,165.4
16.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
305
3741
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link