RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Compara
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
44
En -63% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
13
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.0
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2069
2140
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link