RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
44
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.0
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2069
2140
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link