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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
45
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.3
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
32
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
16.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
3726
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
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