RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
45
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
2699
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
INTENSO 5641160 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link