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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
INTENSO 5641160 8GB
Compara
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs INTENSO 5641160 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Puntuación global
INTENSO 5641160 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
INTENSO 5641160 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
54
En -135% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
1,308.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
INTENSO 5641160 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
23
Velocidad de lectura, GB/s
3,573.5
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,308.1
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
371
2613
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
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