RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
INTENSO 5641160 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs INTENSO 5641160 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
INTENSO 5641160 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
INTENSO 5641160 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
54
Wokół strony -135% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
INTENSO 5641160 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2613
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
INTENSO 5641160 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link