RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
45
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
3046
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C7 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link