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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
45
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
30
读取速度,GB/s
12.3
16.8
写入速度,GB/s
8.0
12.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3046
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
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Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
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