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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
差异
规格
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差异
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
36
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
29
读取速度,GB/s
14.8
17.3
写入速度,GB/s
8.7
10.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
3111
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
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