RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
45
En -96% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
3127
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link