RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
45
En -55% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
2750
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link