RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
45
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2750
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link