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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
45
En -105% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.4
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.8
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
22
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
20.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
18.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
4382
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingmax Semiconductor KLCD48F-A8KI5 1GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
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