RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
45
Wokół strony -105% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
18.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
4382
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link