RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
45
En -114% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.7
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
21
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
3437
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link