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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Compara
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
45
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
45
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1706
2925
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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OCZ OCZ3G16002G 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
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