RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
45
En -45% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
3545
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston ACR512X64D3U16C11G 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link