RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
45
Autour de -45% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.3
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
3545
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link