RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
45
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.7
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.9
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
19.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
16.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
3700
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link