RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
45
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3700
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link