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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
45
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.3
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
38
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
19.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
3246
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
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