RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
45
Intorno -18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.3
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
38
Velocità di lettura, GB/s
12.3
19.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
3246
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link