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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
14.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
7.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
51
Intorno -50% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
34
Velocità di lettura, GB/s
15.6
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
2565
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
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