RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
51
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
34
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2565
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link