RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
7.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
51
En -50% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
34
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
2565
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link