RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
77
En -126% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
2,622.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
34
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2565
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Kingston 9905403-439.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link