RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
45
En -88% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
2925
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston 9905428-129.A00LF 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link