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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

Puntuación global
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    12.3 left arrow 10
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.0 left arrow 7.9
    Valor medio en las pruebas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    35 left arrow 45
    En -29% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
    En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    45 left arrow 35
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.3 left arrow 10.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.0 left arrow 7.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1992 left arrow 2200

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Comparaciones de la memoria RAM

Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
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Memoria RAM
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
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Memoria RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Memoria RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Memoria RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
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Memoria RAM
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Memoria RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Memoria RAM
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Memoria RAM
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
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Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Kingston 9905712-008.A00G 16GB
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Memoria RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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