RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Compara
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
43
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1706
2672
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link