RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
43
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
2672
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link