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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Puntuación global
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    12.3 left arrow 7.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.0 left arrow 6.1
    Valor medio en las pruebas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    41 left arrow 45
    En -10% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
    En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    45 left arrow 41
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.3 left arrow 7.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.0 left arrow 6.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1992 left arrow 1512

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Memoria RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Memoria RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Memoria RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Memoria RAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Memoria RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Memoria RAM
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Memoria RAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Memoria RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Memoria RAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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