RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.3
10.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
45
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
10.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
2237
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link