RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.3
10.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
45
Intorno -32% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
34
Velocità di lettura, GB/s
12.3
10.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
2237
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link