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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB

Puntuación global
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Puntuación global
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13 left arrow 12.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.0 left arrow 8.0
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    45 left arrow 45
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.3 left arrow 13.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.0 left arrow 9.0
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1992 left arrow 2079

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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