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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB

总分
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

总分
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB 需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
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  • 更快的读取速度，GB/s
    13 left arrow 12.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.0 left arrow 8.0
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时，ns
    45 left arrow 45
  • 读取速度，GB/s
    12.3 left arrow 13.0
  • 写入速度，GB/s
    8.0 left arrow 9.0
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1992 left arrow 2079

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB RAM的比较

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
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Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
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AMD AE34G1601U1 4GB
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Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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