RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
45
En -61% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
2742
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link