RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
45
En -96% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
2103
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link