RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.0
7.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
45
Около -96% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
12.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
14.3
Скорость записи, Гб/сек
8.0
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2103
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link