RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
45
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
2773
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Inmos + 256MB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-2GBRM 2GB
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBXL 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link