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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
50
En 10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.3
10.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
50
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
10.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
2386
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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