RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
50
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
50
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
10.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2386
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link