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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
55
En 18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.3
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
55
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
2232
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
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