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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
55
左右 18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.3
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
55
读取速度,GB/s
12.3
10.0
写入速度,GB/s
8.0
7.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2232
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
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Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
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