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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
45
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
38
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
2382
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Team Group Inc. 16GB
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