RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
48
En -20% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.3
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
5.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
48
40
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
11.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
1654
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link